·将按客户日程和时供给业界最高机能HBM4，以巩固竞争上风·相较在HBM3E，其带宽扩展一倍，而且能效也晋升40%·“不仅是冲破AI基础举措措施极限的一个标记性迁移转变点，更是可解决AI时代技能难题的焦点产物”
2025年9月12日，SK海力士公布，已经乐成完成面向AI的超高机能存储器新产物HBM4*的开发，并于全世界初次构建了量产系统。
SK海力士暗示：“公司乐成开发将引领人工智能新时代的HBM4，并基在此技能结果，于全世界初次构建了HBM4的量产系统。此举再次向全世界市场彰显了公司于面向AI的存储器技能范畴的带领职位地方。”
SK海力士HBM开发担任赵珠焕副社长暗示：“HBM4的开发完成将成为业界新的里程碑。公司将和时为客户提供于机能、能效及靠得住性方面都满意需求的产物，以此巩固于面向AI的存储器市场的竞争上风，并缩短产物上市时间（Time to Market）。”
跟着AI需乞降数据处置惩罚量剧增，为实现更快的体系速率，对于高带宽*存储器的需求也于激增。此外，数据中央巨年夜的耗电使患上其运营承担日趋加剧，存储器的能效已经成为客户所要求的要害因素。借此，SK海力士有望晋升带宽及能效的HBM4将成为满意要求的最好解决方案。
此次全新构建量产系统的HBM4采用了较前一代产物翻倍的2048条数据传输通道（I/O），将带宽扩展一倍，同时能效也晋升40%以上。依附这一冲破，该产物实现了全世界最高程度的数据处置惩罚速率及能效。公司猜测，将该产物引入客户体系后，AI办事机能最高可晋升69%，这一立异不仅能从底子上解决数据瓶颈问题，还有可显著降低数据中央电力成本。
与此同时，这次HBM4实现了高达10Gbps（每一秒10千兆比特）以上的运行速率，这年夜幅逾越JEDEC*尺度划定的8Gbps（每一秒8千兆比特）。
公司于HBM4的开发历程中采用了产物不变性方面得到市场承认的自立进步前辈MR-MUF*技能及第五代10纳米级（1b）DRAM工艺，最年夜水平地降低其量产历程中的危害。
SK海力士AI Infra担任金柱善社长（CMO，Chief Marketing Officer）暗示：“这次正式公布全世界率先构建量产系统的HBM4，不仅是冲破AI基础举措措施极限的一个标记性迁移转变点，更是可解决AI时代技能难题的焦点产物。”又暗示：“公司将和时供给AI时代所需的最高品质及多样化机能的存储器，致力成为‘全方位面向AI的存储器供给商（Full Stack AI Memory Provider）’。”
* 高带宽存储器（HBM，High Bandwidth Memory）：垂直毗连多个DRAM，与现有的DRAM比拟显著晋升数据处置惩罚速率的高附加值、高机能产物。HBM DRAM产物以HBM（第一代）-HBM2（第二代）-HBM2E（第三代）-HBM3（第四代）-HBM3E（第五代）-HBM4（第六代）的挨次开发。
* 带宽（Bandwidth）：HBM产物中的带宽，是指一个HBM封装每一秒可处置惩罚的数据总容量
* JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）：国际半导体器件尺度构造，该构造决议半导体器件的规格
* 批量回流模制底部填充（MR-MUF，Mass Reflow Molded Underfill）：于重叠半导体芯片后，为了掩护芯片间的电路，于此中填充液体掩护质料，使其固化。有评价称，与每一堆一个芯片就铺设薄膜型质料的方式比拟，该技能提高了效率及散热效果。尤其是SK海力士的进步前辈MR-MUF技能，较现有技能削减了芯片重叠时所施加的压力，提高了芯片的翘曲节制力(Warpage Control)，这是确保HBM不变量产的要害。
-K8凯发电子
